Wafer kle Pwosesis Faktori

Pwosesis polisaj
Avèk devlopman kontinyèl nan teknoloji fabrikasyon sikwi entegre (IC), gwosè karakteristik chip la ap vin pi piti ak pi piti, kantite kouch entèkoneksyon ap ogmante, ak dyamèt wafer la ap ogmante tou. Pou reyalize fil elektrik milti-kouch, sifas la wafer dwe gen trè wo flatness, lis ak pwòpte, ak chimik mekanik polisaj (CMP) se kounye a ki pi efikas plat plat teknoloji. Yo rele li senk teknoloji kle ki pi debaz nan fabrikasyon IC ansanm ak litografi, grave, enplantasyon iyon, ak PVD / CVD.
CMP equipment is mainly composed of polishing head, polishing disc, dresser, polishing liquid delivery system and other parts. The polishing head and its pressure control system are the most critical and complex components, and are the basis and core of CMP technology to achieve nano-level flattening. At present, the most advanced 300mm wafer polishing head abroad is loaded by air pressure, with functions such as zone pressure, vacuum adsorption, floating holding ring and self-adaptation, which is very complex. With the continuous reduction of feature size and the continuous increase of wafer diameter, the requirements for CMP surface quality are getting higher and higher, and the traditional single-zone pressure polishing head can no longer meet the requirements. If the polishing head can divide the wafer into multiple areas for loading, the material removal rate of different areas can be controlled by changing the amount of applied pressure. The polishing head of the current international high-end 300 mm wafer CMP equipment usually has three pressure zones. In addition, at the 45 nm technology node and below, the current CMP equipment (polishing pressure>6.985 kPa) gen anpil chans pou lakòz pwoblèm tankou rupture ak grate nan materyèl Low-k ak penti kap dekale nan koòdone mwayen / kwiv Low-k. Ultra-ba presyon CMP (<3.448 kPa) will be the main development direction of CMP equipment and technology in the future.
Nan pwosesis CMP, tèt polisaj la sitou jwe wòl sa yo: ① Aplike presyon sou wafer la; ② Kondwi wafer la pou vire epi transmèt koupl; ③ Asire ke wafer la ak pad polisaj la toujou byen ekipe san yo pa tonbe oswa fragman. Anplis de sa, nan ekipman CMP-wo fen, tèt la polisaj se de preferans kapab kranpon wafer la pa estrikti pwòp li yo san èd nan kondisyon ekstèn amelyore efikasite pwodiksyon an.
Tèt polisaj presyon zòn nan se yon faktè enpòtan nan mezire nivo teknik nan ekipman CMP. Lide debaz li soti nan modèl Preston. Dapre modèl sa a. Dapre rechèch CHEN et al., plis patisyon yon tèt polisaj gen, se pi fò kapasite li pou ajiste pousantaj retire materyèl la. Sepandan, plis patisyon yo genyen, se plis estrikti li yo konplike e li pi difisil pou devlope. Pa gen okenn kondisyon espesifik pou divizyon gwosè chak zòn nan tèt polisaj la. Li ka divize egalman oswa divize selon estrikti aktyèl entèn tèt polisaj la.
Pou anpeche wafer la jete deyò pandan wotasyon, tèt polisaj la dwe gen yon estrikti bag kenbe. Nan istwa devlopman teknoloji CMP, de kalite bag kenbe yo te parèt: bag kenbe fiks ak bag kenbe k ap flote. Depi bag la kenbe fiks pa ka evite efè a kwen, aktyèl ekipman CMP endikap la sèvi ak yon bag kenbe k ap flote. Lè w aplike presyon diferan nan bag la kenbe k ap flote, eta a kontak ant wafer la ak pad la polisaj ka ajiste, kidonk efektivman amelyore efè kwen an.
Depi bag la kenbe byen sere ak pad polisaj la, yo dwe fèt yon seri siyon nan pati anba a nan bag la kenbe pou gide likid la polisaj san pwoblèm antre nan koòdone nan wafer / polisaj pad. Anplis de sa, yo nan lòd yo amelyore lavi a, bag la kenbe bezwen yo dwe chwazi nan gwo fòs, korozyon ki reziste, ak mete ki reziste materyèl tankou sulfid polifenilèn (PPS) oswa polyetheretherketone (PEEK).
Kòm mansyone pi bonè, yon fonksyon enpòtan nan tèt la polisaj se kranpon wafer la ak reyalize transfè a vit ak serye nan wafer la ant estasyon an chaje ak dechaje ak estasyon an polisaj. Nan istwa devlopman nan teknoloji CMP, te gen anpil metòd blocage tankou blocage mekanik, lyezon parafin, ak ventouse vakyòm, men metòd ki anwo yo pa ka satisfè kondisyon ki nan ekipman CMP-wo fen an tèm de efikasite, fyab, ak pwòpte. Tèt polisaj milti-zòn lan sèvi ak yon metòd adsorption vakyòm pou sere wafer la. Prensip debaz la montre nan Figi 2. Premyèman, presyon pozitif yo aplike nan èrbag milti-zòn pou peze lè ki genyen ant èrbag la ak wafer la, ak Lè sa a, yo itilize kontwòl konbinezon presyon pozitif ak negatif diferan patisyon èrbag pou fòme. yon zòn presyon negatif ant èrbag la ak wafer la, ak wafer la byen fèm adsorbed sou tèt la polisaj. Metòd sa a fè tout itilizasyon estrikti èrbag milti-zòn nan tèt polisaj tèt li, e li gen avantaj ki genyen nan vit, fyab, ak polisyon-gratis.