GaAs wafer oswa GaAs substrate wafer. 2 "GaAs wafer, 3"GaAs wafer, 4"GaAs wafer, 6"GaAs wafer

GaAs wafer pou VCSEL, GaAs wafer pou LD, GaAs wafer pou dirije, GaAs wafer pou Microelectronics.

Gaas Substrate Wafers
ATIK	Inite	LD Aplikasyon Espesifikasyon	Dirije Aplikasyon Espesifikasyon	Espesifikasyon mikwo-elektwonik
Kalite Konduit		n-kalite	p-kalite/n-kalite	-
Crystal Kwasans Methord		VGF	VGF	VGF
Dopant		sizo	Zn/Si	san doprimè
Dyamèt	pous	2", 3", 4" ak 6"	2", 3", 4" ak 6"	2", 3", 4" ak 6"
Oryantasyon wafer		(100)±0.1 degre	(100)±0.5 degre	(100)±0.5 degre
OF/SI		US oswa EJ	US oswa EJ	US, EJ oswa nottch
Konsantrasyon Carrire	/cm³	(0.4-2.5)×10¹⁸	(0.5-5)×10¹⁹ (0.4-4)×10¹⁸
Rezistans (nan RT)	ohm.cm	(1.2-9.9)×10^-3	(1.2-9.9)×10^-3	>10⁷
Mobilite	cm²/vs	>1500	5-120/>1000	>4000
Etch Pit Dansite (EPD)	/cm²	<500	<5000	<5000
Lazè Marking		Sou demann	Sou demann	Sou demann
Epesè	μm	(350-650)±25	(350-650)±25	(350-650)±25
TTV (P/P)	μm	Mwens pase oswa egal a 5	Mwens pase oswa egal a 5	Mwens pase oswa egal a 4
TTV (P/E)	μm	Mwens pase oswa egal a 10	Mwens pase oswa egal a 10	Mwens pase oswa egal a 10
Defòme	μm	Mwens pase oswa egal a 10	Mwens pase oswa egal a 10	Mwens pase oswa egal a 10
Sifas	Side1 Kòt a kòt	Poli Poli/Grave	Poli Poli/Grave	Poli Poli/Grave
Epi-pare		Wi	Wi	Wi
Pake		Kasèt oswa yon sèl veso wafer	Kasèt oswa yon sèl veso wafer	Kasèt oswa yon sèl veso wafer
* Yo ka espesifye epesè wafer ak oryantasyon.